It＇s　an　effective　method　to　produce　mid　infrared　laser　that　CO2　laser　frequency　doubling　by　using　quasi-phase-matched　(QPM)　crystal.　The　main　problem　in　the　preparing　diffusion　bonding　crystal　is　controlling　the　defects.　In　this　paper,　the　bonding　temperature,　pressure,　time　and　other　parameters　are　optimized　to　reduce　the　interface　loss.　When　the　bonding　temperature　is　700°C,　the　bonding　pressure　of　0.27kg/mm2,　a　49　layer　QPM　GaAs　crystal　was　fabricated,　and　the　interface　loss　of　the　single　layer　was　less　than　0.13%.　Using　the　prepared　QPM-GaAs　crystal　for　second　harmonic　generation,　23%　SHG　efficiency　was　achieved　in　a　CO2　laser　with　10.56μm　wavelength,　219　mJ　pulse　energy　and　110　ns　pulse　width.　©　2021　SPIE.