金属有机物化学气相淀积(metal　organic　chemical　vapor　deposition,　MOCVD)作为异质结半导体材料外延的关键手段,其外延层厚度均匀性会直接影响产品的良率.本文将理论与实验相结合,针对3个MO源喷嘴的垂直反应腔MOCVD,将各MO源喷嘴等效为蒸发面源,并引入一等效高度来涵盖MOCVD的相关外延参数,建立外延层厚度与各MO源喷嘴流量间的定量关系,设计并利用EMCORE　D125　MOCVD系统外延生长了AlGaAs谐振腔结构,根据实验测得的外延层厚度分布结果,利用最小二乘法对模型参数进行了拟合提取,基于提取的模型参数,给出了优化外延层厚度均匀性的方法.　4　in　(1　in=2.54　cm)外延片mapping反射谱的统计结果为,腔模的平均波长为651.89　nm,标准偏差为1.03　nm,厚度均匀性达到0.16%.同时外延生长了GaInP量子阱结构,　4　in外延片mapping荧光光谱的统计结果为,峰值波长平均值为653.3　nm,标准偏差仅为0.46　nm,厚度均匀性达到0.07%.本文提出的调整外延层厚度均匀性的方法具有简单、有效、快捷的特点,且可以进一步推广至具有4个MO喷嘴以上的垂直反应腔MOCVD系统.