Abstract：
利用COMSOL Multiphysics有限元软件对LaB6微尖阵列的场屏蔽效应进行模拟,揭示了场屏蔽效应与微尖间距的关系,发现当微尖间距大于8倍微尖高度时,阵列的总发射电流最大,为LaB6微尖阵列设计提供了理论依据。采用飞秒激光技术实现了在单晶LaB6块体（100）晶面进行微尖阵列微结构的可控加工,其工艺参数为:激光功率Fs=0.01%,样品移动速度为20 mm/min,划线间隔为4-8μm,刻槽重复次数为8次,加工过程加半径2mm孔光阑,并吹氩气保护。飞秒激光制备单晶LaB6FEAs具有均匀的形貌和表面纳米结构,微尖曲率半径可以控制在0.5-3μm之间,微尖间距约为高度的1.5倍,曲率半径0.5μm的单晶LaB6 FEAs具有最佳的场发射性能,其启动电场为2.2 V/μm,在8.0 V/μm电场下发射电流密度为1.0 A/cm
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Year： 2024
Language： Chinese
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