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一种碳化硅MOSFET模块的封装结构和制作方法。碳化硅MOSFET模块由碳化硅MOSFET芯片（1），上DBC基板（2），下DBC基板（3），陶瓷转接板（4），氧化硅介电填充层（5），纳米银焊膏（6），再布线层（7），过孔导电金属（8）和功率端子组成。通过纳米银焊膏（6）将碳化硅MOSFET芯片（1）和下DBC基板（3）连接。在陶瓷转接板（4）上制作矩形框架，并通过填充介电材料，将碳化硅MOSFET芯片（1）嵌入在陶瓷转接板（4）内。碳化硅MOSFET芯片（1）和陶瓷转接板（4）的上表面覆有导电金属层，陶瓷转接板（4）的上、下表面分别和上DBC基板（2）、下DBC基板（3）互连，各功率端子分别从上DBC基板（2）的导电覆铜层（201）、下DBC基板（3）的导电覆铜层（301）引出。
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Type： 发明申请
Patent No.： PCT/CN2019/124448
Filing Date： 2019-12-11
Publication Date： 2021-05-14
Pub. No.： WO2021088197A1
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： PCT未进入指定国（指定期满）
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