Indexed by：
Abstract：
本发明公开了一种高功率大孔径基模涡旋光波导VCSEL相干阵列，VCSEL相干阵列为大孔径阵列发光结构，包括N电极层、N型DBR、有源区层、P型DBR和P电极层；在VCSEL相干阵列的每个发光单元台面上的出光孔表面刻蚀有六方晶格排布的微纳结构孔隙，微纳结构孔隙内填充有高掺杂半导体透明材料，以形成涡旋光波导结构。本发明在传统VCSEL阵列激光器结合涡旋光波导结构及P电极层，实现光波导横向及纵向调控、电流横向及纵向注入和热量的横向及纵向传导，最终实现大孔径的高功率高相干基模VCSEL阵列，解决传统VCSEL激光器阵列功率低、光束质量差、P型DBR电阻及热阻过大、阵列积热严重等问题。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Patent Info ：
Type： 授权发明
Patent No.： CN202311653123.0
Filing Date： 2023-12-05
Publication Date： 2024-04-30
Pub. No.： CN117613666B
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 11
Affiliated Colleges：
