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本实用新型公开了一种基于反激拓扑结构的MOSFET隔离驱动电路，涉及MOSFET驱动电路和反激开关电源技术领域，主要包括MOSFET的驱动部分以及MOSFET的过压保护部分。具体包含电阻R1、电阻R2、电阻R3、电阻R4、电阻R5、电阻R6、电阻R7；电容C1、电容C2、电容C3、电容C4；二极管D1、二极管D2、二极管D3、二极管D4、二极管D5；稳压二极管ZD1、三极管Q1、MOSFET管N1、PWM输入端及Vd端；本实用新型利用反激开关电源和MOSFET的工作原理，设计出了具有隔离和过压保护功能的MOSFET驱动电路，具有一定的实用价值。
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Type： 实用新型
Patent No.： CN202322719934.8
Filing Date： 2023-10-11
Publication Date： 2024-06-18
Pub. No.： CN221177556U
Applicants： 北京工业大学
Legal Status： 授权
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