Query：
学者姓名：张久兴
Refining：
Year
Type
Indexed by
Source
Complex
Co-Author
Language
Clean All
Abstract ：
本发明公开了一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法，属于阴极场发射技术领域。本发明采用步进电机辅助电化学浸润腐蚀制备单晶稀土六硼化物场发射单尖，通过调节步进电机的上下移动速率和位移，腐蚀电压和时间，使得单晶稀土六硼化物样品腐蚀和非腐蚀部位的腐蚀极化过电位产生明显差别，从而有效克服了电化学腐蚀制备单尖过程中样品与腐蚀液的手动浸润过程及腐蚀存在的杂散腐蚀现象，减小了单尖制备受人为影响的因素，提高了单尖形貌的均匀性和规则度以及制备的效率，进而改善和提高单尖阴极场发射性能，使得单晶稀土六硼化物场发射单尖作为电子源在扫描电镜、电子束光刻系统等真空电子设备领域具有广阔的运用前景。
Cite：
Copy from the list or Export to your reference management。
| GB/T 7714 | 张忻 , 肖怡新 , 刘洪亮 et al. 一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法 : CN201811213293.6[P]. | 2018-10-18 . |
| MLA | 张忻 et al. "一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法" : CN201811213293.6. | 2018-10-18 . |
| APA | 张忻 , 肖怡新 , 刘洪亮 , 张久兴 . 一种步进电机辅助电化学腐蚀制备场发射单尖的方法 : CN201811213293.6. | 2018-10-18 . |
| Export to | NoteExpress RIS BibTex |
Abstract ：
电传导型Ca12Al14O32 : 2e‑电子化合物的制造方法属于钙铝石型无机电子化合物材料技术领域。将CaCO3粉末与Al2O3粉末以27 : 15的物质的量比混合均匀，并且于1450℃进行化学反应合成Ca12Al14O33与Ca3Al2O6共晶前驱体，此前驱体中Ca12Al14O33与Ca3Al2O6的物质的量比为2：1；将共晶前躯体与金属Al单质粉末混匀后，在Ar气环境下进行机械合金化，时间为15min；将机械合金化后的粉末原位反应合成电传导型Ca12Al14O32 : 2e‑电子化合物；该制备方法5分钟内就制得电子浓度达到理论最大值2.3×1021cm‑3，相对密度达到99.8％的多晶Ca12Al14O32 : 2e‑电子化合物块体材料，且该方法简单高效，制备周期极短，成本低，易于实现批量化生产。
Cite：
Copy from the list or Export to your reference management。
| GB/T 7714 | 张忻 , 李凡 , 刘洪亮 et al. 电传导型Ca12Al14O32 : 2e-电子化合物的制造方法 : CN201811019797.4[P]. | 2018-09-03 . |
| MLA | 张忻 et al. "电传导型Ca12Al14O32 : 2e-电子化合物的制造方法" : CN201811019797.4. | 2018-09-03 . |
| APA | 张忻 , 李凡 , 刘洪亮 , 冯琦 , 张久兴 . 电传导型Ca12Al14O32 : 2e-电子化合物的制造方法 : CN201811019797.4. | 2018-09-03 . |
| Export to | NoteExpress RIS BibTex |
Abstract ：
导电性钙铝石型化合物块体的制备方法属于半导体材料技术领域。本发明采用放电等离子烧结技术原位反应合成导电型[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2‑y(e‑)2y块体材料。[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2进行粉碎、研磨，装入石墨模具中，预压成形，然后加入活性金属粉末，置于放电等离子烧结设备中，反应条件为：活性金属粉末与[(Ca1‑xMx)24Al28O64]4+(O2‑)2粉末的质量比为1 : 2～1 : 5，烧结温度800～1400℃，反应室真空度不高于10Pa，压力40MPa，反应5～15min。该制备方法可以在1017～1021/cm3范围内调控载流子浓度，从而实现电输运特性的可控，且该方法简单高效，制备周期短，成本低，易于实现工业化应用。
Cite：
Copy from the list or Export to your reference management。
| GB/T 7714 | 张忻 , 李凡 , 刘洪亮 et al. 导电性钙铝石型化合物块体的制备方法 : CN201711142934.9[P]. | 2017-11-17 . |
| MLA | 张忻 et al. "导电性钙铝石型化合物块体的制备方法" : CN201711142934.9. | 2017-11-17 . |
| APA | 张忻 , 李凡 , 刘洪亮 , 赵吉平 , 冯琦 , 张久兴 . 导电性钙铝石型化合物块体的制备方法 : CN201711142934.9. | 2017-11-17 . |
| Export to | NoteExpress RIS BibTex |
Abstract ：
本发明涉及一种YB4块体的制备方法。将YH2粉末和B粉在氧含量低于0.5ppm氩气气氛中，按摩尔比1 : 4球磨混合均匀，将中球磨好的粉末在氧含量低于0.5ppm氩气环境中放入石墨模具中，然后将石墨模具置于SPS烧结设备中烧结，烧结工艺为：将腔体抽真空至8Pa以下，在仪器初始压力下以50‑60℃/min的升温速度升至800‑900℃，保温至腔体真空度下降至15Pa以下，之后施加40‑60MPa的轴向压力，再以120‑140℃/min升温速度升至1400‑1600℃，保温5‑10min，降压随炉冷却至室温。本发明将YB4原料合成与块体的制备合二为一烧结温度低、时间短，工艺简单，且制备的材料单相、纯度高、致密度高、力学性能好。
Cite：
Copy from the list or Export to your reference management。
| GB/T 7714 | 张久兴 , 李录录 , 张忻 et al. 一种YB4块体的制备方法 : CN201710140285.2[P]. | 2017-03-10 . |
| MLA | 张久兴 et al. "一种YB4块体的制备方法" : CN201710140285.2. | 2017-03-10 . |
| APA | 张久兴 , 李录录 , 张忻 , 刘洪亮 . 一种YB4块体的制备方法 : CN201710140285.2. | 2017-03-10 . |
| Export to | NoteExpress RIS BibTex |
Abstract ：
一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法属于阴极场发射技术领域。目前，稀土六硼化物场发射阵列的制备极其困难，限制了其在场发射领域的大规模应用。本发明采用激光微纳加工技术在稀土六硼化物表面加工出均匀的尖锥场发射阵列，所述尖锥场发射阵列的形貌具有很高的一致性。通过激光微纳加工工艺参数的调整，能够加工出曲率半径纳米到微米级别的尖锥场发射阵列，尖锥高度、间隔和密度可控，适合大规模应用。
Cite：
Copy from the list or Export to your reference management。
| GB/T 7714 | 张忻 , 刘洪亮 , 肖怡新 et al. 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法 : CN201710504620.2[P]. | 2017-06-28 . |
| MLA | 张忻 et al. "一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法" : CN201710504620.2. | 2017-06-28 . |
| APA | 张忻 , 刘洪亮 , 肖怡新 , 冯琦 , 张久兴 . 一种稀土六硼化物场发射阵列的制备方法 : CN201710504620.2. | 2017-06-28 . |
| Export to | NoteExpress RIS BibTex |
Abstract ：
本发明涉及纳米SiC复合Mg Si Sn基热电材料的制备方法。首先，采用感应熔炼设备将Mg、Si、Sn块体原料熔炼成铸锭，然后按化学式配比称取的纳米SiC粉末与破碎的铸锭一并装入球磨罐中，采用机械球磨设备在氩气气氛下进行一次球磨，然后将装载一次球磨粉的石墨模具置于放电等离子烧结腔体中，在真空气氛下烧结成块体；再将烧结成的块体破碎后，在氩气气氛下进行二次球磨，然后在真空气氛下烧结得到高致密的Mg2Si1 xSnx/SiCy(0≤x≤1.0, 0< y≤0.05)块体。本发明成本低，适用成分范围广，操作简单，可靠性好，可实现纳米SiC颗粒在Mg2Si1 xSnx基体中的弥散分布，同时能够细化基体晶粒尺寸，提高材料的致密度和可加工性。
Cite：
Copy from the list or Export to your reference management。
| GB/T 7714 | 张忻 , 郑亮 , 刘洪亮 et al. 纳米SiC复合Mg Si Sn基热电材料的制备方法 : CN201610057670.6[P]. | 2016-01-27 . |
| MLA | 张忻 et al. "纳米SiC复合Mg Si Sn基热电材料的制备方法" : CN201610057670.6. | 2016-01-27 . |
| APA | 张忻 , 郑亮 , 刘洪亮 , 李松浩 , 周子群 , 张久兴 et al. 纳米SiC复合Mg Si Sn基热电材料的制备方法 : CN201610057670.6. | 2016-01-27 . |
| Export to | NoteExpress RIS BibTex |
Abstract ：
采用双光束双侧同步填丝焊接的方法制备Ti-6Al-4V合金T型接头,并对焊缝成形、组织、力学性能及其相互关系进行研究。结果表明,试验获得了质量良好的焊缝,未出现不连续、焊瘤、可见的裂纹及气孔等缺陷,同时发现其与焊接过程中稳定的熔池行为及良好的熔滴过渡有关。从接头截面可以发现,蒙皮及筋条侧热影响区的形状完全不同。热影响区和熔合区的组织包含针状马氏体α′相。热影响区及熔合区的显微硬度均高于母材,且在筋条侧靠近融合区的热影响区处显微硬度最大。沿蒙皮及筋条方向的拉伸试样均断裂于母材处,其断裂方式为延性断裂。
Keyword ：
TI-6AL-4V合金 TI-6AL-4V合金 高速摄像 高速摄像 力学性能 力学性能 组织 组织 双侧激光焊接 双侧激光焊接 T型接头 T型接头
Cite：
Copy from the list or Export to your reference management。
| GB/T 7714 | 马旭颐 , 巩水利 , 张久兴 et al. Ti-6Al-4V合金T型接头双光束激光焊接焊缝成形、组织及力学性能（英文） [J]. | 中国有色金属学报：英文版 , 2016 , 0 (3) : 729-735 . |
| MLA | 马旭颐 et al. "Ti-6Al-4V合金T型接头双光束激光焊接焊缝成形、组织及力学性能（英文）" . | 中国有色金属学报：英文版 0 . 3 (2016) : 729-735 . |
| APA | 马旭颐 , 巩水利 , 张久兴 , 芦伟 , 杨璟 . Ti-6Al-4V合金T型接头双光束激光焊接焊缝成形、组织及力学性能（英文） . | 中国有色金属学报：英文版 , 2016 , 0 (3) , 729-735 . |
| Export to | NoteExpress RIS BibTex |
Abstract ：
一种电子化合物C12A7 : e‑单晶体的制备方法属于阴极材料技术领域。电子化合物C12A7 : e‑因具有低的逸出功而备受关注，但迄今为止关于其单晶体的制备技术及其电子发射研究很少，且目前制备工艺复杂，单晶体质量较差，很难实现大规模应用。本发明采用放电等离子烧结(SPS)、光学悬浮区域熔炼以及活性物质还原法相结合在高真空环境下制备大尺寸，高质量C12A7：e‑单晶体。以CaCO3粉末和Al2O3粉末为初始原料制备出的高纯度、高质量、大尺寸C12A7：e‑单晶体为(φ8～15)mm×(20～30)mm的圆柱体，单晶衍射仪测试结果显示单晶质量良好没有出现孪晶现象，室温下载流子浓度为6.6×1019cm‑3。
Cite：
Copy from the list or Export to your reference management。
| GB/T 7714 | 张久兴 , 江浩 , 张忻 et al. 一种电子化合物C12A7 : e‑单晶体的制备方法 : CN201610519994.7[P]. | 2016-07-04 . |
| MLA | 张久兴 et al. "一种电子化合物C12A7 : e‑单晶体的制备方法" : CN201610519994.7. | 2016-07-04 . |
| APA | 张久兴 , 江浩 , 张忻 , 刘燕琴 , 刘洪亮 . 一种电子化合物C12A7 : e‑单晶体的制备方法 : CN201610519994.7. | 2016-07-04 . |
| Export to | NoteExpress RIS BibTex |
Abstract ：
采用感应熔炼结合放电等离子烧结技术成功制备了单相Mg2Si0.5Sn0.5Sbx(0≤x≤0.015)系列固溶体。从XRD和XRF分析结果可以看出,该制备方法能够很好地避免Mg元素的氧化和有效控制Mg的含量,且Sb元素成功进入了固溶体的晶格位置。热电性能测试结果表明,所有样品的Seebeck系数均为负值,且随着Sb掺杂量x的增加,电阻率大幅度降低,呈现出n型半导体输运特性;Sb元素进入固溶体晶格位置产生晶格畸变,从而增加了声子散射,降低了晶格热导率,所以掺杂Sb样品的晶格热导率明显低于未掺杂样品。Sb掺杂样品的无量纲热电优值ZT明显高于未掺杂样品,其中Sb掺杂量x=0.01成分样品Mg2Si0.5Sn0.5Sb0.1具有最大ZT值,并在700K附近取得最大值约为0.56。
Keyword ：
放电等离子烧结 放电等离子烧结 Sb掺杂 Sb掺杂 晶格热导率 晶格热导率 热电性能 热电性能 Mg2Si基热电材料 Mg2Si基热电材料
Cite：
Copy from the list or Export to your reference management。
| GB/T 7714 | 郑亮 , 张忻 , 刘洪亮 et al. Mg2Si0.5Sn0．5Sbx固溶体的快速制备及其热电性能优化 [J]. | 功能材料与器件学报 , 2016 , 22 (4) : 56-62 . |
| MLA | 郑亮 et al. "Mg2Si0.5Sn0．5Sbx固溶体的快速制备及其热电性能优化" . | 功能材料与器件学报 22 . 4 (2016) : 56-62 . |
| APA | 郑亮 , 张忻 , 刘洪亮 , 韩志明 , 李松浩 , 周子群 et al. Mg2Si0.5Sn0．5Sbx固溶体的快速制备及其热电性能优化 . | 功能材料与器件学报 , 2016 , 22 (4) , 56-62 . |
| Export to | NoteExpress RIS BibTex |
Abstract ：
采用密度泛函理论平面波超软赝势方法研究了p型Li掺杂的纤锌矿结构ZnO的能带结构、态密度和电荷分布,并分析了Li掺杂ZnO的电输运性能.结果表明,Li掺杂ZnO具有1.6eV的直接带隙,且为p型半导体,体系费米能级附近的态密度大大提高,在导带和价带中都出现了由Li电子能级形成的能带,其费米能级附近的能带主要由Li的s态、Zn的p态、Zn的d态和O的p态电子构成,且他们之间存在着强相互作用.电输运参数和电输运性能分析结果表明,Li掺杂的ZnO氧化物价带和导带中的载流子有效质量均较大;其载流子输运主要由Li的s态、Zn的p态和O的p态电子完成;Li掺杂有望改善ZnO的电输运性能.
Keyword ：
电性能 电性能 电子结构 电子结构 Li掺杂 Li掺杂 ZnO ZnO
Cite：
Copy from the list or Export to your reference management。
| GB/T 7714 | 张飞鹏 , 房慧 , 张忻 et al. Li掺杂ZnO的电子结构与电性能的研究 [J]. | 分子科学学报 , 2015 , 31 (3) : 233-238 . |
| MLA | 张飞鹏 et al. "Li掺杂ZnO的电子结构与电性能的研究" . | 分子科学学报 31 . 3 (2015) : 233-238 . |
| APA | 张飞鹏 , 房慧 , 张忻 , 路清梅 , 张久兴 . Li掺杂ZnO的电子结构与电性能的研究 . | 分子科学学报 , 2015 , 31 (3) , 233-238 . |
| Export to | NoteExpress RIS BibTex |
Export
| Results： |
Selected to |
| Format： |
