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研究了采用垂直堆垛方式构筑的MoS_2/C_(60)范德华异质结的特性。利用直流磁控溅射法制备Mo薄膜,对Mo薄膜进行硫化退火处理得到MoS_2薄膜,采用真空蒸镀法在MoS_2薄膜上沉积C_(60)进而形成MoS_2/C_(60)范德华异质结,并制备了Au/MoS_2/C_(60)/Al结构的器件。对MoS_2薄膜的晶体结构进行了分析,对MoS_2,C_(60)及MoS_2/C_(60)薄膜的喇曼光谱及光吸收特性进行了测试和表征。结果表明:经过750℃退火后的MoS_2晶型为2H型;由于在MoS_2和C_(60)薄膜之间范德华力的存在,相对于生长在Si/SiO_2衬底上,沉积在MoS_2上的C...
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半导体技术
Year： 2019
Issue： 01
Volume： 44
Page： 20-26
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