Indexed by：
Abstract：
通过激光辐照固态Al膜,制备了一种p型重掺杂4H-SiC,分析了Al膜厚度、激光脉冲个数对掺杂结果的影响,验证了不同工艺参数对p型掺杂层表面电学性能的调控作用.结果表明,当Al膜厚度为120 nm,脉冲个数为50时,掺杂试样的最大载流子浓度为6.613×1017 cm-3,最小体电阻率为17.36Ω·cm,掺杂浓度(粒子数浓度)可达6.6×1019 cm-3.4H-SiC的Al掺杂改性机理为:在紫外激光作用下,Si-C键断裂,Al原子替代Si原子形成p型掺杂层.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
中国激光
ISSN： 0258-7025
Year： 2018
Issue： 6
Volume： 45
Page： 98-105
Cited Count：
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 2
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 5
Affiliated Colleges：
