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利用化学气相沉积(CVD)法,以Au为催化剂,制备出了β-Ga_2O_3纳米线阵列。Au催化剂的密度和尺寸随快速退火处理温度的不同而改变。催化剂的形貌决定着β-Ga_2O_3纳米线阵列的形貌结构,并进一步影响其光致发光特性。X射线衍射分析显示所生长的纳米线为单斜结构的β-Ga_2O_3。扫描电子显微镜(SEM)测试表明:随着快速退火温度的升高,Au催化剂的形貌发生显著变化。在900℃下快速退火处理120 s后,生长的纳米线阵列结构致密,纳米线平均直径较小,且直径分布较为均匀。常温下以316 nm波长激发时,β-Ga_2O_3纳米线阵列光致发光谱出现紫外(393 nm)和蓝光(454 nm)发光...
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微纳电子技术
Year： 2017
Issue： 02
Volume： 54
Page： 91-95
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