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采用金属有机化合物气相外延方法制备了不同SiH_4流量下重掺杂n型GaN材料,研究发现在SiH_4流量为20cm~3/min时样品获得较高的电子浓度,达到6.4×10~(19) cm~(-3),同时材料的结晶质量较好。光荧光测试发现重掺杂使GaN材料的杂质能带进入导带形成带尾态,使带边峰变得不尖锐,并且发现SiH_4流量以及材料的刃位错密度与黄光带发光有关。采用Delta掺杂方式生长的重掺杂样品,样品表面粗糙度降低,晶体质量明显改善,但黄光带发光强度增强。缺陷选择性腐蚀研究发现Delta掺杂方式主要通过降低螺位错密度来改善晶体的质量。
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半导体光电
Year： 2016
Issue： 04
Volume： 37
Page： 499-504
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