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采用密度泛函理论广义梯度近似第一性原理计算的方法研究了NiO氧化物的电子结构,在此基础上分析了其热电性能.电子结构计算结果表明,NiO氧化物存在着0.45eV的间接带隙,费米能级附近的状态密度较低.价带顶中的能带电子主要为p、d态电子,导带底中的能带电子主要为s、p态电子;Op态和Ni d态电子与Os、Op态和Ni s、Nip态电子之间的跃迁形成载流子迁移过程.热电性能分析结果表明,价带顶的载流子迁移率较低,有效质量较大;导带底的载流子迁移率较高,有效质量较小;纯的NiO氧化物的导电性较差,但其Seebeck系数较高,具有一定的热电性能.
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贵州师范大学学报（自然科学版）
ISSN： 1004-5570
Year： 2015
Issue： 3
Volume： 33
Page： 71-75
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