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基于Chartered 0.35 μm EEPROM CMOS工艺,采用全定制方法设计了一款应用于低功耗和低成本电子设备的8×8 bit SRAM芯片.测试结果表明,在电源电压为3.3 V,时钟频率为20MHz的条件下,芯片功能正确、性能稳定、达到设计要求,存取时间约为6.2 ns,最大功耗约为6.12 mW.
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微电子学
ISSN： 1004-3365
Year： 2014
Issue： 4
Volume： 44
Page： 495-498,502
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