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利用正向肖特基结结电压与温度的线性关系,对AlGaN/GaN HEMT器件有源区瞬态温升进行了测量,其热阻为19.6℃/W.比较了不同测温方法和外界环境对器件沟道温升的影响.并研究了栅极施加反向直流阶梯应力对AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响,结果表明器件在应力作用下电学参数退化,大信号寄生源/漏极电阻尺S/RD和栅源正向Ⅰ-Ⅴ特性在击穿后能得到恢复.AlGaN势垒层陷阱俘获电子和电子填充栅极表面态是器件参数退化的原因,表面态恢复是器件参数恢复的主要原因.
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半导体技术
ISSN： 1003-353X
Year： 2014
Issue： 3
Volume： 39
Page： 226-232
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