Indexed by：
Abstract：
设计了一款无螺旋电感的1 ～6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出级,有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35 μm SiGe BiCMOS工艺,完成了版图设计,WLNA的版图尺寸仅为105 μm×115 μm,与使用螺旋电感的WLNA相比,芯片面积大大减小.利用安捷伦公司的射频/微波集成电路仿真工具ADS进行了验证.结果表明:该WLNA在1～6 GHz频段内,S21＞16 dB,NF＜ 3.5 dB,S11＜-10 dB,S22＜-10dB.对于设计应用于射频前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
北京工业大学学报
ISSN： 0254-0037
Year： 2014
Issue： 5
Volume： 40
Page： 690-695
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 5
Affiliated Colleges：
