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针对低压透明集电极绝缘栅双极晶体管(ITC-IGBT)制造难度高的问题,基于内透明集电极(ITC)技术,将点注入局部窄台面(PNM)槽栅结构应用于IGBT中,提出一种600 V新型槽栅内透明集电极IGBT.采用仿真工具ISE-TCAD,对PNM-ITC-IGBT的导通特性、开关特性、短路特性等进行仿真,重点研究局域载流子寿命控制层的位置及其对内载流子寿命的影响,并与普通槽栅内透明集电极IGBT进行对比.结果表明,新结构具有较低的通态压降和关断损耗,尤其在短路特性方面,提高了槽栅IGBT的抗烧毁能力,且局域载流子寿命控制层的位置和寿命存在最佳范围.
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半导体技术
ISSN： 1003-353X
Year： 2013
Issue： 10
Volume： 38
Page： 745-749,775
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