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对SiO2+BPSG+SiO2钝化结构和SiO2+SiN钝化结构的双极晶体管和JW117集成稳压器进行了60Co的γ辐照和不同温度下退火行为研究.结果表明,覆盖BPSG钝化膜的器件抗辐照性能明显强于SiN钝化膜的器件.BPSG对Na+具有很好的吸收作用,SiO2层中的Na+很大部分被吸收到BPSG膜中,降低了双极晶体管基区的表面复合速率,减少过剩基极电流,这可能是BPSG钝化膜器件抗辐照性能好的主要原因.通过对器件辐照后不同温度下的退火实验,保证了BPSG钝化膜器件辐照后的工作可靠性.
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核技术
ISSN： 0253-3219
Year： 2013
Issue： 6
Volume： 36
Page： 19-23
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