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研究了采用MOCVD技术分别在100与500Torr反应室压力下生长的非故意掺杂GaN薄膜的光学与电学性能。研究表明,低压100Torr外延生长条件可以有效地降低Ga与NH3气相反应造成GaN薄膜的碳杂质沾污,从而抑制造成光致发光中黄光峰与蓝光峰的深受主的形成,所制备的材料表现出较好的光学性能。同时,不同生长压力下的GaN薄膜表现出相异的电学性能,即在500Torr下生长的样品通常表现出更高的载流子浓度((4.6～6.4)×1016 cm-3)与更高的迁移率(446～561cm2/(V.s)),而100Torr下生长的样品通常表现为更低的载流子浓度(1.56～3.99)×1016 cm-3与更...
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Source ：
半导体光电
Year： 2012
Issue： 03
Volume： 33
Page： 367-369,374
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