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采用购买的直径为40～50 nm的AAO模板,利用直流电沉积方法在AAO模板上制备了Cu纳米线.TEM观察发现,Cu 纳米线的直径为(45±5)nm,与AAO模板的内孔 直径一致.利用碳膜卷曲的方法,在JEOL 2010F型场发射透射电子显微镜中对单根 Cu 纳米线进行了原位弯曲变形实验.实验发现,存在于纳米线内部的孪晶界作为位错源向外发射位错,该尺寸纳米线的塑性行为主要是以偏位错主导的位错行为.
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电子显微学报
ISSN： 1000-6281
Year： 2011
Issue： 3
Volume： 30
Page： 175-180
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