On-chip　photonics　devices　relying　on　the　weak,　volatile　thermo-optic　or　electro-optic　effects　of　silicon　usually　suffer　from　high　insertion　loss　(IL)　and　a　low　refractive　index　coefficient.　In　this　paper,　we　designed　two　novel　1　x　1　and　1　x　2　phase-change　optical　switches　based　on　a　signal-mode　Si　waveguide　integrated　with　a　Ge2Sb2Te5(GST)　top　clad　layer,　respectively.　The　three-state　switch　including　amorphous　GST　(a-GST),　face　centered　cubic　crystalline　phase　(FCC-GST)　and　hexagonal　crystalline　phase　(HCP-GST)　operated　by　utilizing　the　dramatic　difference　in　the　optical　constants　between　the　amorphous　and　two　crystalline　phases　of　GST.　In　the　case　of　the　1　x　1　optical　switch,　an　extinction　ratio　(ER)　of　8.9　dB　and　an　extremely　low　IL　of　0.8　dB　were　achieved　using　an　optimum　GST　length　of　only　2　mu　m.　While　for　the　1　x　2　optical　switch,　low　ILs　in　the　range　of　0.15　similar　to　0.35　dB　for　both　＇cross＇　(a-GST)　and　＇bar＇　(FCC-GST　and　HCP-GST)　states　were　also　obtained.　Additionally,　we　found　that　both　ILs　and　mode　losses　of　the　switch　with　HCP-GST　were　about　half　lower　than　those　with　FCC-GST,　which　means　FCC-GST　could　be　instituted　by　HCP-GST　in　the　traditional　ovonic　switch　with　the　consideration　of　low　loss.　This　research　provides　the　fundamental　understanding　for　the　realization　of　low　loss　and　non-volatile　Si-GST　hybrid　optical　switches,　with　potential　for　future　communication　networks.