A　zinc-blende　(ZB)　AIN　and　wurtzite　(WZ)　GaN　mixed-phase　(AGMP)　nanostructured　film　was　prepared　by　pulsed　laser　deposition　on　n-type　Si　(100)　substrates.　Compared　with　single-phase　AIN　or　GaN　film　for　field　emission　properties,　the　turn-on　field　of　AGMP　film　is　lowered　from　17.8　to　1.2　V/mu　m　at　1,mu　A/cm(2),　and　the　FE　current　density　of　AGMP　is　raised　up　about　four　orders　of　magnitude.　The　striking　FE　enhancement　effect　of　the　mixed-phase　structure　may　be　partially　originated　from　an　efficient　electron　step-transport　in　mixed　phase,　which　provides　a　most　favorable　emission　energy　level　and　greatly　advances　the　supply　of　effective　FE　electrons.　In　addition,　the　AGMP　nanofilm　may　help　with　electron　transport,　which　is　very　different　from　the　mixtures　of　ZB　and　WZ　nanowires　blocking　electron　transport　in　the　recent　report　[Nano　Lett.　2011,　11,　2424].