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通过紫外-可见透射谱技术,计算得到薄膜各个位置的拟合厚度值,研究了a-si:H薄膜的厚度均匀性;通过对紫外-可见透射谱的分析和对红外吸收谱峰宽度的分析,研究了a-Si:H薄膜的结构均匀性.研究发现对于单磁场线圈MWECR CVD系统,ECR区的不均匀性和沉积室的磁场梯度的不均匀,是影响a-Si:H薄膜均匀性的主要原因.通过改进矩形耦合波导和热丝辅助及减小磁场线圈电流的方法,采用HW-MWECR CVD 系统,在直径为6cm的衬底上沉积了厚度不均匀性＜3.5%的a-Si:H薄膜.
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陶瓷学报
ISSN： 1000-2278
Year： 2009
Issue： 2
Volume： 30
Page： 171-177
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