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近些年来,采用各种不同的沟槽栅结构使低压MOSFET功率开关的性能迅速提高.本文对该方面的新发展进行了论述.本文上篇着重于降低通态电阻Rds(on)方面的技术发展,下篇着重于降低优值FOM方面的技术发展.
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Source ：
中国集成电路
ISSN： 1681-5289
Year： 2008
Issue： 5
Volume： 17
Page： 19-26
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