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利用低压金属有机化学气相沉积(LP-MOCVD)生长了无铝980 nm InGaAs/InGaAsP/InGaP单量子阱(SQW)激光器,测试了含铝的InGaAs/GaAs/AlGaAs和无铝的InGaAs/InGaAsP/InGaP两种不同材料的980 nmInGaAs SQW激光器在30～70℃范围内的P-I-V特性曲线,对比分析了两种材料系980 nm激光器输出光功率、阈值电流、斜率效率和激射波长随温度的变化,并对InGaAs/InGaAsP/InGaP激光器进行了可靠性实验。
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中国激光
Year： 2009
Issue： 06
Volume： 36
Page： 1356-1359
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