Indexed by：
Abstract：
为抑制芯片中微小焊点的电迁移,向共晶SnBi钎料中添加微米级Ni颗粒,并在??0.5 mm铜线接头上形成焊点.结果表明:当电流密度为104 A/cm2、通电96 h后,阳极附近没有出现富Bi层,即电迁移现象得到抑制.这是由于Ni颗粒与Sn形成了IMC,阻挡了Bi沿Sn基体扩散的快速通道,防止了两相分离,提高了焊点可靠性.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
电子元件与材料
ISSN： 1001-2028
Year： 2008
Issue： 11
Volume： 27
Page： 60-63
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 19
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 8
Affiliated Colleges：
