We　report　microwave　characteristics　of　field　effect　transistors　employing　InAlN/AlN/GaN　heterostructures　grown　on　low-defect-density　bulk　Fe-doped　GaN　substrates.　We　achieved　unity　current　gain　cutoff　frequencies　of　14.3　and　23.7　GHz　for　devices　with　gate　lengths　of　1　and　0.65　mu　m,　respectively.　Measurements　as　a　function　of　applied　bias　allow　us　to　estimate　the　average　carrier　velocity　in　the　channel　to　be　similar　to　1.0　x　10(7)　cm/sec　for　a　1　mu　m　device.　Additionally,　we　found　nearly　no　gate　lag　in　the　devices,　which　is　considered　a　precondition　for　good　performance　under　large　signal　operation.　(C)　2010　American　Institute　of　Physics.　[doi:　10.1063/1.3358192]