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从矩阵方法的基本原理出发,结合AlN/GaN结构的机械和电学边界条件,推导出用于求解声表面波在AlN/GaN结构中的相速的行列式方程.通过求解该行列式方程,分析了声表面波在AlN/GaN结构中的传播特性,包括声表面波相速和机电耦合系数随频率、AlN的膜厚和c轴取向的变化规律.AlN/GaN结构减弱了GaN中施主杂质的影响,使该结构更适合于声表面波器件的应用,AlN和GaN作为半导体压电材料,其AlN/GaN结构便于与其它电路集成化,有利于减小器件的尺寸,增强声表面波器件的功能.
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材料导报
ISSN： 1005-023X
Year： 2007
Issue： 6
Volume： 21
Page： 21-22,34
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