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利用水溶液降温法生长了单掺4.4mol%三氟乙酸TGS晶体及双掺4.4mol%三氟乙酸和4.4mol%丙三醇TGS晶体,研究了晶体生长习性,并对其热释电系数、介电常数、居里点及电滞回线进行了测试,实验表明,单掺可将晶体的居里点提高至53.6℃,内偏压场得到一定改善,而在此基础上双掺可将晶体居里点进一步提高至55℃,同时其热释电性能得到显著提高,晶体优值可提高为纯TGS晶体的3.3倍.
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人工晶体学报
ISSN： 1000-985X
Year： 2007
Issue： 1
Volume： 36
Page： 98-101
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