Indexed by：
Abstract：
采用金属有机物化学气相淀积技术(MOCVD)在蓝宝石衬底上低温(870-980℃)生长p型氮化镓(p-GaN).用Hall测试仪测量材料的电学性能,发现当温度低于900℃时,材料的电阻率较高;在900-980℃均可获得导电性能良好的p-GaN.另外,电导性能除与掺杂浓度有关,还与p-GaN生长条件有关,氮镓摩尔比过低导电性能就较差,过高则会引起表面粗糙.采用优化后的p-GaN制作了绿光发光二极管器件,发现生长温度越低器件发光强度越高,反向电压也越高,但正向电压只是略有升高.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
物理学报
ISSN： 1000-3290
Year： 2006
Issue： 3
Volume： 55
Page： 1424-1429
1 . 0 0 0
JCR@2022
ESI Discipline： PHYSICS;
JCR Journal Grade：2
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 21
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 9
Affiliated Colleges：
