Indexed by：
Abstract：
介绍了采用锗硅技术的低噪声放大器的基本理论,给出了一个2GHz低噪声放大器的例子,并总结了近来采用锗硅技术的各种频段的低噪声放大器研究情况.最后,介绍了锗硅技术的广阔应用前景.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
半导体技术
ISSN： 1003-353X
Year： 2005
Issue： 2
Volume： 30
Page： 47-50,43
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count： 1
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 2
Affiliated Colleges：
