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俞波 (俞波.) | 盖红星 (盖红星.) | 韩军 (韩军.) | 邓军 (邓军.) | 邢艳辉 (邢艳辉.) | 李建军 (李建军.) | 廉鹏 (廉鹏.) | 邹德恕 (邹德恕.) | 沈光地 (沈光地.)

Indexed by：

CQVIP PKU CSCD

Abstract：

使用低压MOCVD生长应变InGaAs/GaAs　980　nm量子阱.研究了生长温度、生长速度对量子阱光致发光谱(PL)的影响.并将优化后的量子阱生长条件应用于980　nm半导体激光器的研制中,获得了直流工作下,阈值电流为19　mA,未镀膜斜率效率为0.6　W/A,输出功率在100　mW的器件.

Keyword：

应变量子阱 半导体激光器 金属有机化学气相淀积 光电子学

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Source ：

量子电子学报

ISSN： 1007-5461

Year： 2005

Issue： 1

Volume： 22

Page： 81-84

Cited Count：

WoS CC Cited Count： 0

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ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All

WanFang Cited Count： 10

Chinese Cited Count：

30 Days PV： 6

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