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张跃飞 (张跃飞.) (Scholars:张跃飞) | 韩晓东 (韩晓东.) (Scholars:韩晓东) | 郑坤 (郑坤.) (Scholars:郑坤) | 张泽 (张泽.) | 郝雅娟 (郝雅娟.) | 郭向云 (郭向云.)

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Abstract:

由于SiC纳米线优越的力学、热学及电学性能和高的物理、化学稳定性、热导率、临界击穿电场、电子饱和迁移率等特性,一维SiC纳米线在高温、高频、大功率和高密度集成电子器件等方面具有巨大的应用潜力;也可作为塑料、金属和陶瓷等复合材料的增强相,同时也是人们研究低维材料的物理、力学性能与尺寸效应的典型材料.

Keyword:

电子器件 特性 物理 增强相 尺寸效应 迁移率 热导率 一维 应用 大功率 化学稳定性 低维材料 力学性能 碳化硅纳米线 高密度 复合材料 临界击穿电场 微结构 电学性能 典型材料

Author Community:

  • [ 1 ] [张跃飞]北京工业大学
  • [ 2 ] [韩晓东]北京工业大学
  • [ 3 ] [郑坤]北京工业大学
  • [ 4 ] [张泽]北京工业大学
  • [ 5 ] [郝雅娟]中国科学院山西煤炭化学研究所
  • [ 6 ] [郭向云]中国科学院山西煤炭化学研究所

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Source :

电子显微学报

ISSN: 1000-6281

Year: 2005

Issue: 4

Volume: 24

Page: 257

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30 Days PV: 28

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