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根据制备垂直腔面发射激光器(VCSEL)电流限制层的需要,通过实验方法研究了氧化温度、Al组分和晶向等条件对AlGaAs氧化速率的影响,得到适用于VCSEL的材料参数和氧化条件;对氧化后表面分层、欧姆接触特性变差等现象进行分析,得到解决或改善方案.比较AlAs和Al0.98Ga0.02As氧化特性及氧化后的热稳定性,结果表明Al0.98Ga0.02As较AlAs更适于作VCSEL电流限制层.将优化的氧化条件及材料参数应用于VCSEL制备,得到室温连续工作的VCSEL器件,其阈值电流为0.8 mA,激射波长为980 nm,工作电流为15 mA时输出功率可达3.2 mW.
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Source ：
半导体光电
ISSN： 1001-5868
Year： 2003
Issue： 5
Volume： 24
Page： 341-343,349
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