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报道了用偏压调制射频溅射方法制备宽带隙立方氮化硼(c-BN)薄膜的实验结果.研究了衬底负偏压对制备c-BN薄膜的影响.c-BN薄膜沉积在p型Si(100)衬底上，溅射靶为六角氮化硼（h-BN）,工作气体为Ar气和N2气混合而成，薄膜的成分由傅里叶变换红外谱标识.结果表明，在射频功率和衬底温度一定时，衬底负偏压是影响c-BN薄膜生长的重要参数.在衬底负偏压为-200V时得到了立方相含量在90%以上的c-BN薄膜.还给出了薄膜中的立方相含量随衬底负偏压的变化，并对c-BN薄膜的生长机制进行了讨论.
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半导体学报
ISSN： 0253-4177
Year： 2001
Issue： 1
Volume： 22
Page： 66-68
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