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用金属有机气相淀积方法生长了一种新型的吸收体——低温 In Ga As (L T- In0 .2 5Ga0 .75As) .用这种吸收体兼做输出镜 ,实现了 1.0 6μm半导体端面泵浦 Nd∶ YAG激光器被动锁模 ,脉冲宽度为皮秒量级 ,重复率为 15 0 MHz
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Source ：
半导体学报
Year： 2004
Issue： 12
Page： 1595-1598
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