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用电子回旋共振等离子体增强的化学汽相沉积法 ,在单晶硅衬底上外延生长出了近于10 0 μm2 的单晶金刚石薄膜。使用的原料气体是高纯的氢气和甲烷 ,生长前没有对衬底做划痕和研磨等预处理。生长中是把衬底放在ECR共振区 ,并施加了射频负偏压。研究证实 ,在单晶金刚石薄膜的外延中 ,硅衬底表面形成高质量结晶的 β SiC过渡层是外延生长金刚石单晶的关键条件 ;而射频负偏压对于 β SiC过渡层的形成是致关重要的条件。
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人工晶体学报
Year： 2000
Issue： 03
Page： 250-252
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