Indexed by：
Abstract：
采用高温溶液法生长了掺质Ge4+含量不同的Ge :KTP系列晶体。研究了掺质Ge4+离子对KTP溶液性质的影响 ,发现掺质溶液体系更加稳定 ,易于生长出光学质量的单晶。用等离子体发射光谱测定了Ge4+离子在晶体中的含量 ,并计算出Ge4+离子在晶体中的分配系数 ,表明了Ge4+离子较容易进入晶格格位。测定的Ge :KTP晶体的晶胞体积小于纯KTP晶体。测定的光透过曲线与纯KTP晶体的相似 ,Ge :KTP晶体仍保持了较高的光透过率与较宽的透光波段。Ge :KTP晶体的Raman谱与纯KTP晶体的相比有所不同 ,表明Ge4+取代了KTP晶格中P5 +的位置 ,形成了GeO4四面体。激光粉末倍频效...
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
人工晶体学报
Year： 2000
Issue： S1
Page： 121
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 15
Affiliated Colleges：
