Abstract：
BaTiSi2O7具有独特的TiO5四方单锥,有利于抑制离子极化弛豫引起的介电损耗.采用传统氧化物混合法制备了BaTiSi2O7陶瓷.X射线衍射和Raman散射光谱分析表明,该陶瓷具有纯BaTiSi2O7相,其结构中含有TiO5四方单锥结构.同时,高频电学分析表明,随着烧结温度的增加,其相对介电常数在0.1 kHz～1 GHz频率范围内为8～10,介电损耗在10-4左右,有望作为低损耗微波介质材料.
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Year： 2012
Page： 189-192
Language： Chinese
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