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张小玲 (张小玲.) | 谢雪松 (谢雪松.) | 吕长志 (吕长志.)

Abstract:

  本文对集成稳压器的总剂量效应的失效模式和失效机理进行了简单分析,器件在总剂量辐照之后,基准电压下降明显导致输出稳压失效,引起集成稳压器失效的模式还有误差放大器的动态输出范围下降。分析失效机理发现,辐射引起在晶体管基射结上方隔离钝化层SiO2中产生氧化物陷阱电荷和界面态,起到复合中心作用,增强表面复合速率。导致晶体管基极电流增加,电流增益减小。

Keyword:

硅集成稳压器 仿真模拟 抗辐射加固法 总剂量效应

Author Community:

  • [ 1 ] [张小玲]北京工业大学电子信息与控制工程学院 100124
  • [ 2 ] [谢雪松]北京工业大学电子信息与控制工程学院 100124
  • [ 3 ] [吕长志]北京工业大学电子信息与控制工程学院 100124

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Year: 2011

Page: 51-54

Language: Chinese

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