Abstract：
本文以硅为村底。用热蒸发Si0粉末的方法合成了外延碳化硅(SiC)纳米线。利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)等对SiC纳米线进行了电子显微学分析。实验发现，在SiC纳米线生长前，村底上首先自发形成了一层SiC多晶膜，纳米线在这层多晶膜的某些晶粒上外延生长。在显微结构分析的基础上，本文探讨了外延生长一维纳米结构的有利条件是高的生长温度和低的生长速率。
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Year： 2011
Page： 435-438
Language： Chinese
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