Abstract：
利用射频溅射法在Si(100)衬底上制备纯六方相(h-BN)和以正交相(E-BN)为主相的两组氮化硼薄膜。对其进行600～1000℃的N_2保护退火。通过傅里叶变换红外谱(FTIR)分析,发现hBN-cBN-hBN的可逆相变。h-BN向立方氮化硼(c-BN)的最佳退火诱导相变温度为900℃。在此温度下,制备出了立方相含量接近100%的氮化硼薄膜,并且对相变路径与机理作了探索性的讨论。
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Year： 2008
Language： Chinese
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