Abstract：
我们利用半导体技术在脉冲激光器的研制方面做了一些工作。利用离子注入GaAs实现闪光灯泵浦Nd:YAG激光器被动调Q,脉冲宽度为62ns。利用1微米半导体可饱和吸收镜实现固体激光器被动锁模,最短脉冲宽度为4.35ps,利用800nm布拉格型半导体可饱和吸收镜实现掺钛蓝宝石激光器自启动被动锁模,脉冲宽度为37fs。
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
Year： 2004
Language： Chinese
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 8
Affiliated Colleges：
