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在考虑了重掺杂效应、异质结势垒效应、各物理量随温度变化以及背注入空穴电流、ＢＥ结空间电荷区复合电流、中性基区复合电流对基极电流贡献后，对Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ的常温和低温直流特性进行了解析模拟．给出了Ｔ＝７７Ｋ和３００Ｋ时的Ｓｉ／ＳｉＧｅＨＢＴＧｕｍｍｅｌ图和电流增益β与集电极电流密度Ｊｃ的关系．研究了基区少子寿命对的影响．模拟显示，Ｓｉ／ＳｉＧｅ／ＳｉＨＢＴ在小电流和中等电流下有良好的常温和低温直流特性，在大电流下，由于异质结势垒效应的存在，电流增益β严重退化．
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Source ：
北京工业大学学报
Year： 1998
Issue： 02
Page： 3-5
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