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利用双温区真空蒸发沉积技术成功地在ＧａＡｓ（１００）衬底上实现了完全（１１１）取向的Ｃ６０单晶膜的生长．用扫描电子显微镜和Ｘ射线衍射技术对Ｃ６０单晶膜的形貌和结构进行了分析．结果表明：能实现Ｃ６０取向生长的衬底温度范围很窄，温度过高或过低都易造成晶粒的取向无序．对实验结果做出了合理的解释，并讨论了Ｃ６０单晶膜的生长机制
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Source ：
物理学报
Year： 1997
Issue： 03
Page： 66-70
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