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通过调整Ａｌ_２Ｏ_３／ＳｉＯ_２的摩尔比，在晶界中形成了对Ｆｅ_２Ｏ_３、ＭｇＯ等杂质有较大固溶能力的莫来石微晶，降低了晶粒表面势垒，达到降低室温电阻率的目的．总结了高温淬火与室温电阻率及ＰＴＣ效应之间的规律，确定了适于低阻ＰＴＣ材料的烧成工艺，并研制出了室温电阻率ρ_（２０℃）为１２．１Ω·ｃｍ，Ｒ_（ｍａｘ）／Ｒ_（２０℃）为２．３×１０￣３的低阻样品．
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Source ：
北京工业大学学报
Year： 1994
Issue： 03
Page： 66-69
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