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本文报道了用CVD法沉积非晶硅太阳电池用绒面FTO(SnO_2掺F)透明导电膜的工艺研究,较深入地讨论了FTO膜的导电机理、光学性质和薄膜生长中各参数对表面织构度的影响,总结出最佳工艺条件。在此条件下,在较大的玻璃衬底上长出了R_□～5.5Ω/□、总透过率～80％、漫射透过率T_d～5％(6000—7000埃范围)的绒面FTO膜。
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Source ：
太阳能学报
Year： 1990
Issue： 02
Page： 122-133
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