Abstract：
本文描叙了研究微电子元件冷却的实验装置.对浸没冷却和射流冲击冷却的基本传热特征进行了研究.所涉及的传热方式包括自然对流、池内沸腾,单相和两相射流冲击传热以及烧毁现象.实验表明集成电路几何尺寸的热元件自然对流换热率比预算值高至三倍,并发现了一些文献上没有报道的时滞现象。对起始沸腾,过渡沸腾,泡核沸腾及烧毁做了实验研究,并推荐了实用的计算公式.
Keyword：
Reprint Author's Address：
Email：
Source ：
工程热物理学报
Year： 1985
Issue： 04
Page： 355-360
Cited Count：
WoS CC Cited Count： 0
SCOPUS Cited Count：
ESI Highly Cited Papers on the List： 0 Unfold All
WanFang Cited Count：
Chinese Cited Count：
30 Days PV： 5
Affiliated Colleges：
