Abstract：
本文提出一种以多晶硅为辅助层的剥离技术,运用该技术已研制成功铝栅100位CCD模拟延迟线.实验表明此项技术在长细线条、窄间距(2.5μm以下)、高集成度的金属化工艺中容易获得高的成品率.填在转移电极间隙的多晶硅层可以发挥度好的钝化作用.对于三相电极结构中互连“地道”的设计做了改进.
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Source ：
北京工业大学学报
Year： 1980
Issue： 03
Page： 129-139
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