Abstract：
利用射频磁控溅射法制备了硅基锗异质薄膜，并对薄膜进行退火研究.利用椭圆偏振光谱对不同射频溅射功率下硅基锗异质薄膜的折射率和消光系数进行了测试和研究.使用HORIBA MM-16型椭圆偏振光谱仪以70.0°入射角和430～850nm 扫描光谱范围对退火前后的锗薄膜的光学常数(相位差和振幅比)进行测量，并基于软件DeltaPsi 2 对测量结果进行建模处理，得到样品的折射率和消光系数随入射光子能量的变化关系曲线.
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Year： 2016
Page： 1-1
Language： Chinese
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