Abstract：
本文报道了一种结构紧凑、温度稳定的吉赫兹重频被动锁模半导体薄片激光器.通过对增益芯片有源区量子阱的设计,激光器获得良好的温度稳定性,激光波长随温度的红移速度仅为0.035nm/K,这一速度只有一般报道速度的十分之一[1].图一所示为增益片的外延结构,其中对特殊设计的对称阶梯量子阱结构进行了标注,即量子阱为InGaAs,势垒材料为AlGaAs,其间的GaAs过渡层势垒比InGaAs阱高,但比AlGaAs垒低.与一般量子阱相比,这种结构的导带最低的子能级靠得更近,因而温度变化导致的子能级改变所产生的跃迁波长的红移更不明显,所以激光器显示出良好的温度稳定性.此外,对增益片无其他特殊设计并且没有进行后续处理(基质刻蚀或散热片绑定等等).
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Year： 2016
Page： 1-1
Language： Chinese
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